С.В. ПОЛЯКОВ, М.В. ЯКОБОВСКИЙ
Институт математического моделирования РАН, Россия
Оглавление
Рассматриваются проблемы применения методов геометрического моделирования и визуализации к современным задачам наноэлектроники. В качестве примера анализируется ряд конкретных задач моделирования процессов нелинейного электронного транспорта в микро- и наноструктурах. Результаты проведенного анализа показывают, что геометрическое моделирование и визуализация являются неотъемлемой и существенной частью вычислительного эксперимента, проводящегося как с помощью персональных, так и высокопроизводительных многопроцессорных компьютерных систем. В последнем случае развиваются свои специфические методы геометрического моделирования, связанные с проблемой распараллеливания вычислений. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты №№ 08-07-00458a, 09-01-00448a, 09-01-12022-офи_м), Программы союзного государства "СКИФ-ГРИД" (проект № 209р420), Программы Отделения математических наук № 2.
Ключевые слова: численное и геометрическое моделирование, визуализация, параллельные алгоритмы, итерационные процессы, вакуумная и твердотельная микро- и наноэлектроника, электронный транспорт в наноструктурах, квантовые проволоки, массив полевых эмиттеров, полупроводниковые микрокатоды, квазигидродинамический подход.
Развитие новых квантовых приборов с размерами активных элементов порядка 10 нм и меньше является перспективным направлением развития современной наноэлектроники. Такие приборы будут востребованы в ближайшем будущем для создания систем обработки, хранения и отображения информации, источников СВЧ излучения, оборудования электронного зондирования [1.1, 1.2]. С недавнего времени ориентация на квантовые принципы работы приборов при реализации суперкомпактных источников тока, нанотранзисторов и элементов памяти рассматривается в качестве основного пути для промышленных разработок. Для изготовления новых электронных компонентов будут использоваться самые различные материалы. Это не только металлы (алюминий, медь, золото, ванадий и др.) и полупроводники (кремний, арсенид галлия, фосфид индия и др.), но и специфические наноматериалы, обладающие как свойствами металлов, так и полупроводников (аллотропные формы углерода, азота, оксида фосфора и т.п.), а также различные органические соединения. В результате применения наноматериалов и нанотехнологий в производстве электроники будут созданы суперкомпактные и сверхбыстрые элементы компьютерных и коммуникационных систем терагерцового диапазона с пониженной потребляемой мощностью, позволяющие перейти на качественно новый уровень информатизации.
Для создания указанных выше электронных приборов прежде всего необходимо всестороннее изучение свойств соответствующих наноматериалов и их взаимодействия с окружающей средой в рамках общей конструкции. Эта задача равно распределяется как на экспериментальные, так и на теоретические исследования. В последнем случае все большую роль играет компьютерное моделирование, в том числе с помощью высокопроизводительных вычислительных систем. Большая вычислительная нагрузка определяется тем, что математические модели, описывающие процессы в новых электронных приборах, стали существенно сложнее. Это связано с тем, что наряду с традиционными факторами (трехмерность, нестационарность, нелинейность, пространственно-временная неустойчивость и некорректность задач) появились такие особенности, как сложная реальная геометрия, сложная иерархия пространственно-временных размеров, нелокальность процессов, наличие очень большого числа компонент среды и множества фаз одной и той же физической величины. В результате современная математическая модель включает целый набор физических описаний, имеющих различную природу и использующих различный математический аппарат (описания механики сплошной среды, квантовые и статистические модели, гибридные подходы), которые, как правило, плохо стыкуются между собой.
Не менее сложным элементом модели является геометрия расчетной области и используемый в расчетах геометрический аппарат [1.1, 1.2]. Дело в том, что при приближении пространственных характеристик активных элементов электронного прибора к молекулярным и атомным размерам возникает необходимость учитывать детальную геометрическую конфигурацию всех его компонент. Для этого необходимо знать структурные параметры анализируемых наноматериалов, иметь точные представления о геометрических и спектральных характеристиках равновесного и квазиравновесных состояний молекул, атомов и других частиц, и их возможных комбинаций. Как правило, эти данные в каждом конкретном случае либо неточны, либо недостаточны для получения приемлемого описания моделируемой конфигурации. В результате, прежде чем начинать моделирование основной задачи, приходится ставить и решать специальные геометрические и спектральные задачи для получения начальных данных о геометрической структуре материала и возможных ее дефектах и вариациях. Далее в процессе решения основной задачи приходится параллельно пересчитывать динамические изменения геометрической информации с целью контроля основного расчета по геометрическим и спектральным характеристикам. Результатом основных вычислений также может быть геометрическая и спектральная информации. Таким образом, геометрический анализ является неотъемлемой частью вычислительного эксперимента на всех его этапах.
Другой аспект этой проблемы состоит в том, что проведение геометрических вычислений неэффективно, а в ряде случаев и невозможно без визуализации исходных, промежуточных и результирующих данных [1.3]. Поэтому задача визуализации геометрических данных различных классов является в свою очередь неотъемлемой частью геометрического моделирования. Среди основных задач визуализации особое внимание уделяется изображению поверхностей в трехмерном пространстве и динамике трехмерных объектов. Дополнительной проблемой является изображение многомерных распределенных данных, полученных в результате расчетов на многопроцессорных вычислительных системах с распределенной памятью.
Цель данной работы состоит в том, чтобы на примере конкретных задач наноэлектроники показать возникающие проблемы геометрического моделирования и визуализации и наметить некоторые пути их решения. И хотя проблемы, которые рассматривают в работе в основном, касаются одномерных и двумерных систем, предлагаемые решения могут быть использованы и в случае систем большей размерности.
Сначала рассмотрим основные классы задач современной электроники, которые обычно решаются компьютерными методами. Расположим их в порядке увеличения вычислительной сложности.
Первый класс проблем связан с компьютерным представлением электронных схем и систем на макро- и микроуровнях. Как правило, это различные рисунки и схемы, описывающие дизайн, отдельные компоненты и составляющие материалы устройств, режимы их работы, таблицы параметров. Данный класс проблем эффективно поддержан большим количеством CAD/CAE систем и баз данных. Геометрические проблемы, которые рассматривают здесь, в основном касаются теории графов и визуализации простых геометрических объектов.
Второй класс проблем связан с вычислениями состава, структуры и свойств различных веществ и материалов, используемых в современной электронике. В рамках данного класса задач можно выделить два фундаментальных направления исследований. Первое связано с созданием и эффективным использованием подробных баз данных по свойствам веществ и материалов, полученных на основе экспериментов и компьютерных вычислений. Используемые при этом геометрические методы касаются в основном цифрового кодирования и сжатия различной геометрической информации. Второе направление сформировано квантовыми и химическими расчетными программами, позволяющими вычислять структуру и свойства новых веществ и материалов. Объектом, инициирующим числовые и геометрические вычисления, здесь является множество квантово-механических задач, сформулированных для систем большой размерности. Среди множества численных подходов можно выделить такие известные методы, как классический и квантовый метод Монте-Карло, классическая и квантовая молекулярная динамики, методы моделирования «из первых принципов» ( ab initio ), аппарат теории матриц плотности и функций Грина, решение уравнений Шредингера в различных приближениях традиционными численными методами и т.д. Результаты таких вычислений также помещаются в базы данных.
Третий класс проблем связан с моделированием процессов работы электронных устройств и их частей, а также с оптимизацией параметров устройств. По нашему мнению этот класс задач имеет наивысшую вычислительную сложность, поскольку задачи данного класса могут использовать практически любые методы вычислений, в том числе методы компьютерной геометрии и визуализации.
В данной работе мы рассмотрим только третий класс проблем. Причем наше рассмотрение будет ограничено моделированием лишь некоторых физических процессов в определенных частях электронных устройств с помощью методов механики сплошной среды. В этих более узких рамках возникают следующие традиционные геометрические задачи.
1. Описание вычислительной области геометрическими методами.
2. Построение вычислительных сеток различного типа и качества.
3. Аппроксимация основных уравнений модели на сетках определенного типа с использованием геометрической информации.
4. Решение дискретных задач, возникающих в результате сеточных аппроксимаций.
5. Геометрическое распараллеливание и решение задач с помощью параллельных компьютерных систем.
6. Использование геометрических моделей и методов для визуализации начальных, промежуточных и результирующих данных.
Количество научных работ в данных направлениях невозможно оценить. Поэтому здесь и далее будем использовать только результаты, полученные ранее при активном участии авторов [2.1-2.13]. В приведенных работах фактически рассмотрены все аспекты двумерного и трехмерного моделирования проблем механики сплошной среды на декартовых и нерегулярных сетках. Данные работы были ориентированы на выполнение высокоэффективных расчетов различных задач на современных многопроцессорных вычислительных системах. Подходы к геометрическому моделированию и визуализации, развитые в этих работах, применялись в том числе и к задачам наноэлектроники. Ниже мы иллюстрируем применение этих и других методов на конкретных примерах.
Изучение нелинейного электронного транспорта в квантовых структурах имеет множество приложений в современной наноэлектронике. Последний период отмечен существенным прогрессом в области моделирования эффектов спонтанной спиновой поляризации в немагнитных квантово-размерных структурах. Эти нелинейные эффекты очень сильно влияют на электронный транспорт в каналах транзисторов и других приборах и, безусловно, могут быть использованы во многих технических приложениях [3.1-3.6]. Численный анализ возникающих здесь математических задач включает очень часто элементы геометрического моделирования.
В данном разделе рассмотрим задачу об одномерном электронном транспорте в квантовом канале гетероструктуры GaAlAs / GaAs . Наши исследования базируются на новой математической модели нелинейного электронного транспорта в одномерной квантовой проволоке, прикрепленной к металлическим контактам. Эта модель была предложена и теоретически проанализирована в работах [3.7-3.8]. В ее основе лежит приближение Хартри-Фока, используемое единым образом, как в зоне контактов, так и внутри проволоки. Математическое описание модели включает уравнения Шредингера для прямых и обратных электронных волн из непрерывного спектра энергий и разделенных по спину. Уравнения Шредингера учитывают туннелирование электронов через барьер, электрон-электронное обменное взаимодействие и спонтанную спиновую поляризацию. Также в модель входит уравнение Пуассона для потенциала электрического поля, решение которого в случае цилиндрической симметрии можно представить с помощью функции Грина.
Описанная выше нелокально-нелинейная модель анализировалась численно. Для этой цели был разработан и протестирован новый численный метод [3.9-3.10]. Этот метод базируется на конечно-разностной аппроксимации уравнений Шредингера и интегральном представлении решения уравнения Пуассона. Для разрешения проблемы нелинейности предложена специальная итерационная процедура . Для параллельной реализации численного алгоритма используется декомпозиция задачи по энергетической координате. Для ускорения вычислений используется метод продолжения решения по параметру, в качестве которого также используется энергетическая координата.
Дополнительной проблемой, возникающей при моделировании, является неустойчивость решения (некорректность дифференциальной задачи). Эта проблема успешно преодолевается с помощью разработанного метода регуляризации. Электронная система может находиться в одном из нескольких возможных устойчивых или неустойчивых состояний. Предложенный численный метод дает возможность выбора той или иной ветви решения.
Моделирование переноса электронов в квантовом канале с помощью представленной численной модели было направлено на вычисление и анализ равновесных состояний электронной системы. В численных экспериментах были найдены и изучены четыре типа стационарных состояний электронной системы. Другой целью моделирования был анализ процессов спонтанной спиновой поляризации электронов в канале немагнитной наноструктуры. При определенных условиях процессы поляризации приводят к мультистабильному отклику системы на внешнее воздействие, стимулированное электрическим полем. Полученный эффект мультистабильности может использоваться в приложениях для реализации сверхвысокочастотных электронных схем, применяющихся в системах хранения и обработки данных в современных и будущих компьютерах.
Рассмотрим теперь подробнее математическую модель электронного транспорта и предложенный для ее анализа численный алгоритм, выделив особо моменты, связанные с геометрическим моделированием.
Распространение и взаимодействие электронных волн в квантовом проводе в квазистационарной постановке можно описать с помощью приближения Хартри-Фока. В этом случае предполагается, что волновые функции электронов являются одночастичными и удовлетворяют стационарным уравнения Шредингера. Дополнительно можно предположить о наличии лишь одной (нулевой) поперечной зоны. В продольном направлении электронный спектр является непрерывным в диапазоне от нулевого уровня энергии до энергии Ферми. В итоге в случае аксиальной симметрии канала конечной длины L с радиусом a можно записать одномерное уравнение Шредингера для каждого типа электронных волн с заданной энергией, описывающее движение таких электронов вдоль канала [3.7]. Таким образом, математическая модель включает набор стационарных одномерных уравнений Шредингера для волновых функций электронов . Эти функции описывают прямые ( ) и обратные ( ) электронные потоки в канале, соответствующие значениям спина . Волновое число k меняется непрерывным образом в диапазоне (здесь k F – предельное волновое число, соответствующее уровню энергии Ферми). В результате полученная математическая модель фактически имеет две координаты: пространственную ( ) и волновую ( k ) или энергитическую.
Система уравнений Шредингера замыкается добавлением уравнения Пуассона для самосогласованного электрического поля. В случае аксиальной симметрии канала его можно решить с помощью метода функций Грина. Тогда искомый потенциал задается с помощью интегральной формулы. Эта формула включается непосредственно в Гамильтониан для уравнений Шредингера. В итоге можно записать эти уравнения в следующей безразмерной форме:
(3.1)
Здесь пространственная координата и обратное значение волнового числа k нормированы на длину канала L , и энергии прямых и обратных электронных волн, параметр ?имеет смысл максимальной потенциальной энергии электронной системы в целом.
В уравнениях (3.1) слагаемое
(3.2)
описывает потенциальную энергию. Эта энергия складывается из нескольких компонент. Первое слагаемое есть эффективное значение потенциального барьера, встроенного в активный слой гетероструктуры. Второе слагаемое описывает спиновую коррекцию потенциальной энергии. Коэффициент – фактор спонтанной спиновой поляризации электронов в канале. Слагаемое описывает функцию приложенного к каналу внешнего напряжения с максимумом равным V . Слагаемое – энергия Хартри,
, (3.3)
где – плотность положительно заряженного фона, – суммарная средняя плотность электронов в канале,
(3.4)
В (3.3) для простоты предполагается, что радиальная компонента плотности фонового заряда совпадает в равновесии с плотностью электронов. В (3.4) используется ступенчатая аппроксимация функции распределения электронов по энергиям, которая не зависит от температуры.
Потенциал электрон-электронного взаимодействия , использованный в (3.3), в данном случае имеет простую форму
(3.5)
Последнее слагаемое в (3.2) есть оператор обменной энергии,
(3.6)
где
(3.7)
В ограниченной проволоке граничные условия для волновых функций могут быть сведены к следующей форме
(3.8)
где, .
При численном решении задачи (3.1)-(3.9) использовался переход от волновой координаты k к энергетической координате с помощью следующей формулы
(3.9)
где – любая функция от (или ).
Численный метод, разработанный для решения задачи (3.1)-(3.9), базируется на сеточных подходах, подробно представленных в [3.9-3.10]. Здесь мы приведем лишь основные этапы метода.
Для дискретизации расчетной области используется сетка с компонентами
Разностные аналоги волновых функций определяются в узлах . Для дискретизации уравнений (3.1) с граничными условиями (3.9) нелинейные консервативные монотонные разностные схемы строятся с помощью известного интегро-интерполяционного подхода [3.11]. В результате получаются следующие конечно-разностные уравнения, использующиеся для вычисления волновых функций электронов:
(3.10)
(3.11)
Слагаемое в (3.10) имеет следующую структуру
. (3.12)
Заметим, что система уравнений (3.10)-(3.12) сильно нелинейна. Нелинейность индуцируется оператором энергии Хартри и операторами , учитывающими электронное обменное взаимодействие. Эта нелинейность имеет также нелокальный характер, поскольку ее инициируют интегралы по пространству и суммы по всему набору волновых функций. Другими словами, Гамильтонианы уравнений зависят от каждого элемента волнового пакета. Для преодоления этой трудности предлагается использовать следующую итерационную процедуру.
Рассмотрим комбинации как объединенные нелинейные дифференциальные операторы , которые действуют на каждую волновую функцию . Аналогично, операторы действуют на каждую волновую функцию . В обоих случаях операторы зависят от полного множества волновых функций . Множество зависит от операторов неявным образом. Эти факты можно выразить с помощью системы операторных уравнений
(3.13)
Систему (3.13) можно использовать для решения исходной дискретной задачи при фиксированном значении внешнего потенциала V. Для этого организуем следующий итерационный процесс
(3.14)
Здесь начальные операторы совпадают с нулевым оператором в соответствующем пространстве, и итерационные параметры зависят от спектра операторных функций . Детали численного алгоритма и его параллельная реализация приведены в работах [3.12, 3.13].
Представленный численный алгоритм основан на сеточном подходе и, безусловно, использует простые геометрические вычисления. Однако применение геометрических методов в данной задаче этим не ограничивается. Дело в том, что дифференциальная, и, соответственно, дискретная задача не является корректно поставленной, несмотря на правильное задание граничных условий. В частности, если на внешних электродах квантового провода задано напряжение больше критического, то развивается неустойчивость, при которой прохождение электронных волн через канал может осуществляться несколькими способами, то есть имеет место неоднозначность решения (и дифференциального, и разностного). Один из возможных путей разрешения проблемы неоднозначности решения состоит в использовании геометрического метода. Рассмотрим некоторые его детали.
Как известно, в пространственно одномерных системах с током его величина не зависит от координаты. Следствием этого является то, что вольт-амперная характеристика (ВАХ) таких систем непрерывна, по крайней мере, в математическом представлении. Таким образом, для бистабильных или мультистабильных пространственно одномерных систем ВАХ также непрерывна. Это означает в данном случае, что на ВАХ имеются участки S и/или N типа (см. Рис. 3.1 a ). Каждой точке ВАХ соответствует стабильное или нестабильное состояние системы (или решение математической задачи) . Для нахождения всех решений для заданного значения напряжения (или тока) необходимо провести дополнительную линию нагрузки и локализовать точки пересечения. Другими словами, для поиска всех ветвей решения математической задачи рассматриваемого класса при заданном значении параметра (напряжения или тока), необходимо задать дополнительное условие, выделяющее однозначно каждую из точек пересечения характеристической кривой (ВАХ) с линией нагрузки. Для известной формы ВАХ проведение линии нагрузки – простая задача. Если же исходная задача нелинейна, и ее ВАХ неизвестна (то есть определяется только вместе с решением), проведение линии нагрузки также становится большой проблемой.
Рис. 3.1 Пример нелинейной вольт-амперной характеристики (черная кривая) и проведения к ней линий нагрузки (синяя и красная прямые)( a ) и иллюстрация применения геометрического метода (б). Зелеными точками помечены различные ветви решения.
В предлагаемом методе для решения задачи в области неустойчивости добавляется дополнительное уравнение, описывающее линию нагрузки и выделяющее уникальную ветвь решения. Для достижения этой цели необходимо, чтобы линия нагрузки пересекала ВАХ только в одной точке. Обеспечить выполнение этого условия на всей плоскости невозможно. Однако если рассмотреть малую окрестность вблизи некоторой точки ВАХ, такое проведение линии нагрузки возможно. В варианте метода, представленном в работах [3.14, 3.15], используется следующая процедура задания линии нагрузки. Как известно, ВАХ по определению задается уравнением
. (3.15)
Вычисления ВАХ начинаются с точки равновесия ( E0 =0, j0 =0), в которой решение исходной задачи известно или легко вычисляется. Обычно равновесное (основное) состояние электронной системы единственно. Начальная часть ВАХ около точки равновесия близка к линейной функции (всегда можно выбрать такую малую окрестность, где это справедливо). Поэтому, нахождение нескольких следующих точек на кривой ВАХ с малым шагом по обеим координатам ( E , j ) также не представляет большой сложности.
Будем считать, что последней вычисленной точкой была ( Ek , jk ). При этом решение задачи оставалось единственным. Перейдем к локальной полярной системе координат с центром в точке ( Ek , jk ). Здесь – расстояние, отсчитываемое от точки ( Ek , jk ), – угол, отсчитываемый против часовой стрелки от оси (0, E ). Тогда для вычисления новой точки ВАХ ( Ek +1 , jk +1 ) можно вокруг начала координат ( Ek , jk ) провести окружность малого радиуса и через точку пересечения этой окружности с осью = (где – угол наклона касательной к ВАХ в точке ( Ek , jk )или близкий к нему) провести линию нагрузки. При этом линия нагрузки может быть произвольной функцией, например, прямой, перпендикулярной оси = . Однако более удобно, чтобы она была близка к проведенной окружности, но пересекала ВАХ только в одной точке. В предлагаемом алгоритме была выбрана кривая Верзьера Аньези (показана красным на рис. 3.1б), уравнение которой имеет вид:
(3.16)
При этом удобно считать, что
(3.17)
Очевидно, что при достаточно малом радиусе кривая (3.16) пересекает ВАХ только в одной точке вблизи проведенной окружности. Также ясно, что уравнения (3.15)-(3.17) замыкают исходную задачу таким образом, что ее решение и новая точка ВАХ ( Ek +1 , jk +1 ) находятся единственным образом. Естественно, далее можно не заботиться о единственности решения при заданном напряжении или токе.
Представленный метод применялся к решению задачи (3.1)-(3.9). Результаты численного моделирования представлены в [3.12, 3.13]. Здесь приведем лишь те из них, которые связаны с расчетом вольт-амперных характеристик. На рис. 3.2 представлены ВАХ, полученные при различных значениях фактора , отвечающего за влияние спонтанной спиновой поляризации на прохождение свободных электронов в канале. Анализ представленных данных показал следующее. Спонтанная спиновая поляризация встроенной электронной системы одномерного квантового канала вызывает неустойчивость проходящего по нему электронного транспорта. В результате ВАХ такой системы может быть сильно нелинейной и многозначной по приложенному напряжению V . Это обстоятельство свидетельствует о том, что управляемая спонтанная спиновая поляризация может быть основой для реализации СВЧ-транзисторов и многозначных элементов логики на базе немагнитных наноструктур с квантовыми каналами.
Рис. 3.2 Вольтамперные характеристики для различных значений фактора спонтанной спиновой поляризации (кривые 1-5). Сплошные линии соответствуют нижней устойчивой ветви решения, пунктирные линии – верхней устойчивой ветви решения. Частыми точками (кривая 1) показана ВАХ электронной системы, рассчитанная без учета фактора спонтанной спиновой поляризации.
Мы рассмотрели некоторые аспекты моделирования квазистационарного транспорта электронов в квантовом канале наноструктуры. Результаты численного моделирования позволили обнаружить неустойчивость электронного транспорта, связанную со спонтанной спиновой поляризацией электронов в канале. Эта неустойчивость при специальном управлении (например, внешним магнитным полем) может быть использована для реализации сверхвысокочастотных квантовых транзисторов и элементов многозначной логики. Данный результат был получен благодаря совместному использованию методов численного и геометрического моделирования.
Полупроводниковые субмикронные и наноструктуры являются основой современной твердотельной и вакуумной электроники. Численное моделирование их статических и динамических характеристик является актуальной фундаментальной и прикладной задачей. Адекватное математическое моделирование процессов электронного транспорта в этих структурах, основанное на ясном понимании их фундаментальных физических особенностей, жизненно важно для успешного развития полупроводниковых устройств нового поколения.
Размер активной области в современных микроустройствах сопоставим с длиной свободного пробега электронов, а электрическое поле благодаря таким малым размерам очень велико. По этой причине перенос электронов в активной области становится сильно неравновесным, и широко используемая диффузионно-дрейфовая модель (ДДМ) [4.1] уже не может быть адекватной. Квазигидродинамический (КГД) подход к описанию неравновесного переноса электронов в полупроводнике является более правильным. КГД модель основывается на соотношениях [4.2]
, (4.1)
между характерными временами системы, содержащей свободные носители заряда в активной области полупроводниковой структуры. Здесь – времена релаксации импульса и энергии свободных электронов, – темп электрон-электронного рассеяния. Неравенства (4.1) приводят к максвелловской или фермиевской форме симметричной части функции распределения носителей заряда по энергиям для неравновесной температуры . Это позволяет в случае упругого рассеяния импульса описать антисимметричную часть функции распределения в терминах двух переменных: локальной плотности носителей заряда и их локальной температуры, то есть в данном случае концентрации свободных электронов и электронной температуры для униполярного полупроводника. Последние подчиняются уравнению непрерывности и уравнению баланса энергии совместно с материальными уравнениями для потока плотности и потока энергии с концентрацией и температурой, включенных в соответствующие кинетические коэффициенты.
В условиях сильного электронного разогрева процесс ударной ионизации атомов решетки становится очень существенным. В этом случае дырочная проводимость сильно отличается от электронной проводимости, и полупроводник проявляет уже биполярные свойства. В этой ситуации в модель добавляется уравнение непрерывности для концентрации дырок . Уравнение Пуассона для самосогласованного электрического поля и соответствующие граничные и начальные условия замыкают модель.
Результирующая трехмерная эволюционная дифференциальная задача является сильно нелинейной. Нелинейность содержится как в уравнениях, так и в граничных условиях. Численный анализ задачи в квазиклассическом приближении применительно к моделированию кремниевых полевых эмиттеров рассматривается ниже также с использованием геометрических методов.
В общем случае обсуждаемая дифференциальная задача может быть описана следующей безразмерной системой квазиклассических уравнений:
(4.2)
(4.3)
(4.4)
(4.5)
где
Здесь - локальная плотность электронной энергии, – плотности тока электронов и дырок, и – темпы генерации и рекомбинации носителей заряда, – плотность потока электронной энергии, и – темпы генерации и релаксации энергии, – потенциал электрического поля, – эффективная концентрация доноров; , и , – кинетические коэффициенты для соответствующих транспортных уравнений: – соотвественно электронная и дырочная подвижности, – коэффициенты диффузии, – коэффициент Пелтье; – статическая диэлектрическая проницаемость материала; – операторы дивергенции и градиента, определенные в области , t – время ( t>0) .
Граничные и начальные условия могут быть написаны в виде
(4.6)
(4.7)
(4.8)
где – граница области, – внешняя нормаль к , и – равновесные распределения концентраций электронов и дырок, – температура окружающей среды.
В работах [4.3-4.8] квазигидродинамический подход применялся к моделированию полевой эмиссии с поверхности кремниевого микрокатода. Эта задача связана со следующим. В последние годы вакуумная микроэлектроника (ВМ) базировалась на концепции массивов полевых эмиттеров ( FEA ) [4.9], которые успешно разрабатывались для использования во многих конкретных приборах (см. рис. 4.1). Преимущества вакуумных микроустройств состоят в более быстрой модуляции и более высоких электронных энергиях. Эти свойства достигаются при использовании твердотельных структур. В дополнение ВМ-устройства могут оперировать в широком диапазоне температур, 4 K < T <1000 K , и в условиях повышенной радиации. Приложения включают, как сами матрицы полевых эмиттеров, так и приборы на их основе: плоские автокатодные дисплеи, микроволновые усилители, цифровые интегральные схемы, электронные и ионные пушки, сенсоры, ускорители высокой энергии, электронно-лучевые литографы, лазеры на свободных электронах, электронные микроскопы и зонды. Инновационные подходы к созданию массивов полевых эмиттеров привели в последние годы к прорыву в области FEA -материалов, структур и приложений. Теперь можно сказать, что ВМ-устройства вышли из исследовательских лабораторий на уровень опытных образцов и коммерческой продукции.
Рис. 4.1 Пример массива кремниевых полевых эмиттеров (слева) и одиночный кремниевый лезвийный катод (справа).
В настоящее время кремний рассматривается как один из самых подходящих материалов для создания FEA промышленным способом (см., например, [4.10]). И хотя кремний обладает более низкой, по порядку, электронной проводимостью по сравнению с металлами, однако параметры электронной эмиссии из кремния сопоставимы с аналогичными в металлах. К тому же кремниевая технология высоко развита и может быть применена для производства практически любых ВМ-устройств, включая подобные транзистору структуры.
Существует множество аспектов и особых требований к реализации ВМ-устройств, в том числе понимание физики их функционирования. Одна из самых важных проблем в данной области – создание FEA с достаточно высокой, управляемой и устойчивой способностью к эмиссии. У полевой эмиссии из полупроводников есть некоторые специфические особенности, жизненно важные для успешного развития устройств ВМ.
Высокое электрическое поле проникает достаточно глубоко в полупроводник и приводит к интенсивному нагреванию электронов около поверхности эмиссии. Коэффициент туннелирования экспоненциально зависит от напряженности поля, что существенно влияет на характеристики эмиссии и диссипацию энергии. Поэтому перенос горячих электронов в полупроводниковом полевом эмиттере является сильно неравновесным процессом. Это было продемонстрировано в работах [4.3, 4.4] в рамках одномерной модели. Электроны с энергией выше, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, составляют по существу эмиссионный ток. Ударная ионизация атомов решетки полупроводника также может играть важную роль и должна быть принята во внимание. Кроме того, квазиэлектростатическая задача внутри микроячейки с катодом должна быть решена самосогласованным образом, чтобы получить вольт-амперную характеристику прибора.
По вышеупомянутым причинам многомерный (двух- и трехмерный) подход является основным для моделирования в условиях реальной геометрии как одной микроячейки с катодом, так и всего массива микроячеек. Эта фундаментальная и прикладная задача весьма сложна и может быть решена достаточно точно лишь посредством численных методов с применением высокопроизводительной вычислительной техники.
Численная реализация представленной дифференциальной задачи (4.2)-(4.8) является очень сложной вычислительной проблемой. В работах [4.3-4.8] был рассмотрен случай простой геометрии, когда – двумерная прямоугольная область. В этом случае для решения задачи (4.2)-(4.8) был использован оригинальный аддитивный численный алгоритм, разработанный в [4.11]. Результаты моделирования были подробно представлены в [4.8].
Предлагаемый подход получил дальнейшее развитие в работах [4.12-4.15], где основное внимание было уделено моделированию задачи в случае реальной двумерной геометрии и распараллеливанию численной методики. Теперь геометрическое моделирование стало центральной частью вычислений. Для решения задачи необходимо выполнить следующие шаги:
Большая часть этих подзадач основана на геометрических вычислениях.
Для решения проблемы задания расчетной области был разработан комплекс программ TrgView . Этот комплекс позволяет построить двумерную расчетную область практически любой формы и отобразить на экране компьютера различные двумерные структуры данных, включая информацию о границах области, о составляющих ее материалах, о построенной в ней треугольной сетке (см. рис. 4.2, 4.3). Также этот комплекс позволяет увидеть разбиение области и сетки на отдельные вычислительные домены (рис. 4.4).
Для достижения второй и четвертой целей был разработан комплекс программ MeshGen , с помощью которого можно сгенерировать треугольную сетку заданного качества. Пример работы комплекса показан на рис. 4.3, 4.4. Алгоритмы генерации сеток были разработаны и представлены в [4.16-4.18]. Методы декомпозиции области и сетки были развиты в работах [4.19, 4.20].
Задача аппроксимации основных уравнений на нерегулярной треугольной сетке была рассмотрена в работах [4.21-4.25]. С помощью метода контрольных объемов были построены и проанализированы новые численные методы для решения поставленной задачи на треугольной сетке. В качестве контрольных объемов использовались как медианные, так и барицентрические объемы. На рис . 4.5 приведены примеры медианных контрольных объемов .
Рис. 4.2 Диодная (слева) и триодная (справа) структуры кремниевой микроячейки. Область ? 1 – кремний , ? 2 – вакуум , ? 3 – изолятор SiO 2 .
Рис. 4.3 Визуализация структуры (слева) и сетки (справа) в программе TrgView .
Рис. 4.4 Визуализация разбиения области и сетки на домены.
Рис. 4.5 Примеры медианных контрольных объемов.
Для решения транспортных уравнений (4.2)-(4.4) были использованы развитые консервативные слабо монотонные конечно-объемные схемы. Для построения сеточного аналога уравнения Пуассона с разрывной диэлектрической проницаемостью были использованы аналогичные пространственные аппроксимации. Для решения нелинейных конечно-объемных схем был предложен полунеявный алгоритм, в котором нелинейные члены берутся с предыдущего слоя по времени. Таким образом, линеаризованные дискретные эволюционные уравнения и уравнение Пуассона решались на каждом шаге по времени с помощью независимых внутренних итерационных процедур. Уравнение Пуассона решалось по схеме сопряженных градиентов с предобусловливателем в виде неполного разложения Холесского. Каждое эволюционное уравнение решалось по схеме Ланцоша для несимметричных матриц. Параллельные варианты этих итерационных методов были разработаны в [4.26, 4.27].
Визуализация больших распределенных сеточных данных выполнялась с помощью программной среды RemoteView , разработанной в ИММ РАН и представленной в [4.28-4.30]. Визуализация результатов на небольших треугольных сетках выполнялась с помощью известного пакета научной графики TecPlot .
Некоторые результаты численного моделирования приведены на рис. 4.6-4.8. Они показывают, в частности, что электрическое поле действительно глубоко проникает в полупроводник. Воздействие электрического поля на свободные электроны оказывается достаточно сильным, так что они разогреваются и сильно возбуждают решетку вблизи эмитирующей поверхности. В результате этого процесса происходит структурная перестройка поверхности катода, которая приводит в конечном итоге к изменению его формы и деградации эмиссионных характеристик. В проведенных численных экспериментах были получены пороги эмиссии для различных конфигураций ячеек и вольт-амперные характеристики устройств [4.15].
Рис. 4.6 Распределение модуля электрического поля в острие кремниевого микрокатода.
Рис. 4.7 Распределение электронной температуры в острие кремниевого микрокатода.
Рис. 4.8 Распределение электронной энергии в острие кремниевого микрокатода.
В заключение данного пункта следует отметить, что геометрическое моделирование помогло решить большое множество проблем в данной прикладной области. Ближайшее будущее данной работы связано с переходом к полномасштабному трехмерному параллельному моделированию. Кроме того, будет рассмотрена задача динамического туннелирования через потенциальный барьер, зависящий от молекулярной структуры эмитирующей поверхности . Первый шаг в этом направлении сделан в работе [4.31].
Проблема образования пор в металлах при различных физических воздействиях известна уже долгое время. С появлением и развитием электронной техники процессы порообразования в металлических соединениях электрических схем стал одним из существенных препятствий на пути повышения надежности и отказо-устойчивости электронных приборов [5.1]. В современной электронике проблема порообразования остается актуальной в связи с переходом к производству приборов нанометрового диапазона. При таких размерах даже незначительные дефекты материалов очень быстро приводят к разрушению, как отдельных схем, так и чипов в целом. Поэтому производители микросхем вынуждены разрабатывать новые подходы к решению данной проблемы. Последнее невозможно без проведения детальных исследований процессов формирования и миграции пор по соединительным линиям микросхем [5.1-5.8].
В работе [5.8] был представлен один из возможных подходов к численному моделированию процессов образования и миграции пор в межсоединениях электрических схем . Для этой цели была развита нелинейная математическая модель порообразования . Эта модель включает стационарные уравнения для электрического поля, температуры и упругих напряжений, записанные для многослойной среды, содержащей электрические линии и межсоединения. Модель также включает нестационарное уравнение диффузии для концентрации атомов металла, который используется для изготовления электрических линий и межсоединений (это может быть алюминий, медь, золото, а также их сплавы).
В качестве примера рассмотрим указанную выше задачу в случае плоской геометрии. В качестве материала для линий и межсоединений выберем медь, ограниченную танталовыми прокладками по внешнему контуру (см. рис. 5.1). Для выбранной постановки задачи в [5.8] были предложены монотонные консервативные конечно-разностные схемы на декартовых неравномерных сетках. Дискретные аналоги эллиптических уравнений для потенциала электрического поля, температуры, компонент вектора смещений решались с помощью итераций. Нестационарное уравнение диффузии для массовой доли меди решалось по полунеявной схеме по времени. Вычисления проводились с помощью разработанного комплекса параллельных программ.
Данная математическая задача имеет близкую связь с методами геометрического моделирования. Дело в том, что процесс образования пор представляет собой фазовый переход вещество – вакуум. Математическое описание этого явления можно выполнить геометрическим методом, а именно с помощью введения в модель параметра порядка, в качестве которого используется массовая доля меди. Данная методика в деталях описана в книге Сетьяна [5.7]. Она состоит в том, что система дифференциальных или интегральных уравнений, описывающих процесс перехода фаз, включает линейные или нелинейные коэффициенты, зависящие от параметра порядка. Эти зависимости приводят к скачкообразным изменениям решения при изменении геометрической конфигурации модели.
В данной работе проиллюстрируем эту комбинацию геометрического и других методов моделирования. Для этого рассмотрим краткое описание математической задачи и некоторые результаты моделирования.
Рис. 5.1 Геометрия модельной задачи . Цифрами (1, 2, 3, 4) и цветами обозначены материалы, составляющие типичное окружение межсоединения: медь (1), тантал (2), карбид кремния (3) и изолятор (4). Стрелками показано направление протекания электрического тока.
Процесс образования и миграции пор может быть описан с помощью следующих основных безразмерных уравнений
(5.1)
(5.2)
(5.3)
(5.4)
Здесь и – вектор плотности электрического тока, нелинейная проводимость, вектор напряженности электрического поля и потенциал; – операторы дивергенции и градиента в декартовых координатах – расчетная область с линейными размерами , – вектор теплового потока, коэффициент теплопроводности, температура среды, – безразмерный параметр; – скалярное произведение в пространстве – векторы, состоящие из компонент тензора термоупругости – вектор смещений; и – коэффициенты Ламе и модуль сжатия, – функция давления, описывающая термическое и массовое расширение или сжатие среды; – массовая доля меди, t– время, – суммарный диффузионный поток, и – нелинейные диффузионные коэффициенты, – обобщенный термодинамический потенциал ( – след тензора ), – подобласть , занятая медью и порами.
Граничные и начальные условия ставятся следующим образом:
(5.5)
(5.6)
(5.7)
(5.8)
Здесь – значения плотности тока на металлических боковых границах, – полный ток, – температура чипа, – равновесное значение массовой доли меди до включения тока.
Коэффициенты уравнений (5.1) – (5.4) являются разрывными и зависят от температуры и массовой доли меди нелинейным образом. Конкретный вид этих коэффициентов определяется параметрами электрической схемы и использованных материалов. Термодинамический потенциал Ф имеет следующий вид
, (5.9)
где – некоторые числовые константы, – оператор Лапласа в координатах (x,y).
Для иллюстрации эффективности используемого геометрического подхода рассмотрим некоторые результаты численного моделирования. Сначала рассмотрим процесс электромиграции в геометрически симметричном фрагменте проводящей линии (см. рис. 5.2). Выбранный фрагмент имеет длину 8 мкм и толщину 0.6 мкм. Контур линии ограничен танталовыми прокладками толщиной 0.1 мкм с каждой стороны. В представляемой конфигурации левый край медной линии открыт, правый закрыт танталом. Предполагается, что в начальный момент времени фрагмент проводящей линии не имеет дефектов, то есть концентрации вакансий и атомов в объеме меди равны своим равновесным значениям. Например, будем считать, что массовая доля меди во всем образце равна 0.98. Предполагаем также, что электрический ток включается мгновенно. Значение тока равно пкА , что соответствует условиям тестирования чипов . Температура тестирования составляет 628 K , то есть ниже температуры плавления меди, которая равна 673 K . Длина диффузии меди в численных расчетах положена равной 10 нм, что соответствует экспериментальным данным. Соответственно, это ширина интерфейса между танталом и медью, где возникают поры.
Рис. 5.2 Симметричный фрагмент электрической линии . Синий и красный цвета соответствуют включениям меди и тантала. Все размеры указаны в микронах .
Результаты вычислений эволюции массовой доли меди вблизи закрытого конца линии представлены на рис. 5.3. Они показывают, что под влиянием электрического тока неравновесные вакансии атомов меди накапливаются вблизи правого закрытого конца линии и в углах формируются две симметричные поры ( Fig . 5.3б) . Далее эти поры начинают расти навстречу друг другу вдоль танталового слоя (рис. 5.3в-5.3д). В результате они объединяются в единую пору (рис. 5.3е), которая блокирует прохождение электрического тока по меди .
Распределения модуля плотности тока на старте образования пор и после завершения их эволюции показаны на рис. 5.4. В начале порообразования ток вблизи правого конца линии течет как по меди (основная часть), так и по танталу (малая часть) . После образования поры путь электрического тока по меди постепенно блокируется. В результате ток вблизи правого конца линии начинает течь только по танталу ( Fig . 5.4б). Сопротивление тантала почти на два порядка выше, чем у меди. Поэтому интегральное сопротивление линии резко возрастает. Этот эффект приводит к негативным последствиям: неправильная работа чипа или полный выход его из строя.
Рассмотрим далее результаты вычислений для более сложной геометрической конфигурации (рис. 5.1). В этой схеме имеется межсоединение двух электрических линий (на рис. 5.1 оно расположено в центре конфигурации). Поскольку межсоединение имеет малую толщину, по нему течет максимальный ток. На рис. 5.5, 5.6 показаны распределения массовой доли меди и модуля электрического тока в межсоединении перед образованием пор и в конце их эволюции. Как видно из рисунков, пора заблокировала основной канал прохождения тока по меди (рис. 5.6б). Слева и справа от межсоединения образовались два канала тока по танталу, которые также могут вывести из строя взаимосвязь двух электрических линий.
В заключение данного пункта подчеркнем, что геометрический подход к моделированию фазовых переходов оказался достаточно эффективным. С его помощью возможно изучить и разрушение электронных схем, и формирование новых механизмов и материалов для реализации приборов наноэлектроники.
Рис. 5.3 Распределения массовой доли меди в моменты времени сек.
Рис. 5.4 Распределение модуля плотности тока перед образованием поры (а) и после ее эволюции (б).
Рис. 5.5 Распределение массовой доли меди в межсоединении перед образованием поры (а) и после ее эволюции (б).
Рис. 5.6 Распределение модуля плотности тока в межсоединении перед образованием поры (а) и после ее эволюции (б).
Современные многопроцессорные системы обладают производительностью 10^14 и более операций с плавающей точкой в секунду, что потенциально позволяет за короткое время выполнять большие объемы вычислений. С помощью суперкомпьютеров возможно проведение вычислительных экспериментов, направленных на решение фундаментальных и прикладных задач из различных областей знания, в том числе и задач современной электроники. Несмотря на то, что потребность в проведении подобных экспериментов велика, большая часть современных суперкомпьютеров востребована далеко не в полной мере. Тому есть весомые причины.
Фундаментальной проблемой создания методов, позволяющих эффективно использовать совокупную мощность множества процессоров, является необходимость разработки алгоритмов, обладающих существенным запасом внутреннего параллелизма на всех этапах расчета. На каждом шаге решения задачи должно быть достаточное количество взаимно независимых операций, выполнение которых возможно одновременно на всех выделенных для расчета процессорах. В идеале всё множество операций, необходимых для решения задачи, следует равномерно распределить между всеми процессорами на протяжении всего времени выполнения расчета. Указанная проблема, безусловно, имеет определяющий характер, но она далеко не единственная.
Рост вычислительной мощности суперкомпьютеров обеспечивается сегодня за счет экстенсивного увеличения числа обрабатывающих элементов – процессоров, процессорных ядер, технологии гипертрединга, мультитредовых устройств и им подобных (далее просто процессоров). Увеличение вычислительной мощности за счет роста числа поддерживаемых потоков команд, а не за счет скорости обработки одного потока, обусловливает несоответствие между возможностями традиционных средств подготовки и анализа данных, и способностью многопроцессорных систем к генерации больших массивов результатов.
Одним из наиболее активно используемых методов изучения процессов, протекающих в сложных многомерных объектах, является метод математического моделирования. Часто этот метод является единственной возможностью изучения сложных нелинейных явлений. Там где натурный эксперимент невозможен, необходим эксперимент вычислительный. В его рамках создается математическая модель изучаемого явления. Использование математических методов приводит к описанию объекта исследования системой нелинейных многомерных уравнений в частных производных, решение которых определяется с помощью численных методов. Непрерывная среда заменяется дискретным аналогом – конечной сеткой по времени и пространству. Дифференциальные уравнения, действующие в непрерывном пространстве, заменяются алгебраическими, действующими в дискретном пространстве разностной сетки или конечных элементов. Решение алгебраических уравнений возлагается на суперкомпьютер.
В настоящее время уже накоплен значительный опыт применения многопроцессорных систем для моделирования физических и технологических процессов, но он ориентирован в первую очередь на параллельные системы средней производительности, содержащие относительно небольшое число процессоров. При переходе к вычислительным системам, количество процессоров в которых исчисляется сотнями и более, требуется создание адекватных средств обработки больших объемов данных.
Большие объемы данных неизбежно возникают при расчетах на суперкомпьютерах. Увеличение числа процессоров, используемых для решения задачи, приводит к уменьшению объема вычислений, выполняемых на каждом из процессоров. В свою очередь, это ведёт к относительному росту доли накладных расходов, обусловленных необходимостью обеспечения взаимодействия процессов, передачи данных между процессорами и наличием других операций, обеспечивающих согласованное решение задачи на многопроцессорной системе. С ростом числа процессоров наступает насыщение – момент, после которого увеличение числа процессоров уже не приводит к сокращению времени решения задачи.
Таким образом: за счет многопроцессорности сложно сокращать время решения задачи, но с помощью суперкомпьютеров можно решать более сложные задачи, увеличивая степень детализации изучаемых объектов, включая в рассмотрения дополнительные факторы, что влечет за собой увеличение объемов данных, описывающих эти объекты.
Оперирование большими объемами данных предъявляет новые требования и к используемым алгоритмам, и к самим принципам организации работы на суперкомпьютере. Работа становится невозможной без привлечения параллельных алгоритмов и средств, поддерживающих всю цепочку действий, требуемых для численного моделирования на подробных сетках. В том числе: методов формирования геометрических моделей высокого качества, генераторов поверхностных и пространственных сеток, средств декомпозиции сеток, библиотек распределенного ввода-вывода, алгоритмов и библиотек балансировки загрузки процессоров, средств визуализации результатов крупномасштабных экспериментов и многого другого.
Будем считать объем данных «большим», если выполняются некоторые из следующих условий:
вычислительной мощности любого отдельно взятого процессорного узла недостаточно для обработки всего объема данных за приемлемое время;
оперативной памяти любого отдельно взятого процессорного узла недостаточно для хранения всего объема обрабатываемых данных;
пропускной способности сетей передачи данных недостаточно для передачи за разумное время всего объема полученных результатов от сервера хранения данных до рабочего места пользователя.
В дальнейшем будем руководствоваться широко использующимся на практике методом геометрического параллелизма, в соответствии с которым элементы расчетной сетки и ассоциированные с ними сеточные данные равномерно распределяются по процессорам компактными группами. За счет того, что каждый процессор обрабатывает размещенные на нем данные, вычислительная нагрузка так же равномерно распределяется по процессорам. Будем предполагать, что узлы сетки разбиты на группы таким образом, что, с одной стороны, каждая из групп содержит примерно одинаковое число узлов, а с другой – минимизировано, по возможности, число разрезанных ребер [6.1-6.7,6.9,6.13].
Моделирование на многопроцессорных вычислительных системах коллективного доступа сопряжено с выполнением длительных вычислений с помощью большого количества сравнительно коротких сеансов. Число используемых процессоров может меняться от одного сеанса к другому, что вынуждает многократно решать задачу балансировки загрузки. Такая же проблема возникает в ходе визуализации результатов. Большой объем данных предполагает использование множества процессоров для фильтрации изучаемых данных, следовательно, необходим метод их рационального распределения по выделенным для обработки процессорам. Несмотря на высокую эффективность иерархических алгоритмов, разбиение нерегулярных расчетных сеток большого размера занимает значительное время. Для уменьшения потерь целесообразно использовать иерархический метод хранения и обработки больших сеток. В соответствии с ним, расчетная сетка предварительно разбивается на множество блоков небольшого размера – микродоменов. В дальнейшем сетка хранится в виде набора микродоменов и графа, определяющего их связи между собой, называемого макрографом. Каждая из вершин макрографа соответствует микродомену. Перед очередным сеансом расчета производится разбиение макрографа, и каждому процессору назначается список микродоменов. Поскольку в макрографе значительно меньше вершин, чем в исходной сетке, его разбиение требует меньшего времени и может быть выполнено последовательными алгоритмами. Дополнительный выигрыш времени достигается за счет возможности распределенного хранения больших графов как совокупности микродоменов, что значительно уменьшает накладные расходы на чтение и запись сеток большим числом процессоров (рис. 6.1).
Рис. 6.1 Иерархическая обработка сеточных данных.
Говоря о проблеме визуализации сеточных данных важно иметь в виду её комплексный характер. Перечислим основные этапы визуализации.
1) В ходе численного моделирования:
- запись Сетки и Сеточной функции в нужном формате.
2) В ходе процесса визуализации:
- чтение Структуры сетки ;
- назначение фрагментов сетки на процессоры (декомпозиция сетки);
- чтение Сетки и Сеточной функции ;
- формирование объектов виртуальной сцены;
- отображение.
Следует подчеркнуть, что этапы чтения и записи данных на практике занимают существенное время. Во многих случаях именно они определяют накладные расходы на визуализацию и время отклика системы интерактивной визуализации. В связи с этим отдельное внимание в настоящей работе уделяется принципам организации процессов ввода-вывода данных, предназначенных для визуального анализа.
С ростом числа процессоров, используемых для проведения вычислительных экспериментов, сложность задачи преобразования больших объемов сеточных данных к виду, пригодному для наглядного отображения, качественно возрастает. Для визуализации уже недостаточно ресурсов компьютеров рабочих мест пользователей [6.8,6.9,6.10]. Наиболее естественным путем решения проблемы является использование технологии клиент-сервер, в соответствии с которой (рис. 6.2):
серверная часть системы визуализации, как правило, выполняемая на многопроцессорной системе, обеспечивает обработку большого объема данных;
клиентская часть системы визуализации, которая выполняется на компьютере рабочего места пользователя, обеспечивает интерфейс взаимодействия с пользователем и непосредственное отображение данных, подготовленных сервером. При этом используются аппаратные возможности персонального компьютера как для построения наглядных визуальных образов (с помощью графических ускорителей, стерео устройств), так и для управления ими (с помощью многомерных манипуляторов).
Рис. 6.2 Структура системы визуализации
На стороне сервера целесообразно готовить данные, обеспечивающие формирование на стороне клиента именно трехмерного образа объекта, манипулирование которым с целью его изучения в различных направлениях возможно уже без дополнительных обращений к серверу (рис. 6.2). В этом заключается одно из существенных отличий обсуждаемого подхода от методов, используемых в большинстве доступных систем визуализации, выполняющих на стороне сервера «рендеринг» - формирование двумерного растрового образа изучаемого объекта.
Одним из наиболее мощных и наглядных методов визуализации трехмерных скалярных данных является визуализация изоповерхностей, описываемых множеством треугольников. Современные видеоускорители аппаратно поддерживают отображение массивов треугольников, что значительно повышает наглядность визуализации, как за счет высокой скорости вывода данных на экран, так и за счет возможности автоматического формирования стереоизображений.
Ядро системы визуализации представлено рядом алгоритмов фильтрации и огрубления первичных данных, позволяющих аппроксимировать результаты вычислений ограниченным объемом данных, достаточным, однако, для восстановления изучаемого образа с заданным уровнем качества. Фактически к алгоритму огрубления предъявляются два требования, проистекающие из желания обеспечить интерактивный режим работы, а следовательно – высокую скорость предоставления пользователю визуального образа. За короткое время необходимо огрубить данные и передать результат огрубления на компьютер пользователя. Следовательно, во-первых, алгоритм огрубления должен работать быстро. Во-вторых, необходимо выполнить огрубление данных до заданного объема , диктуемого временем, отведенным на передачу данных на компьютер пользователя.
Число описывающих изоповерхность узлов велико и по порядку величины может совпадать с числом узлов исходной трехмерной сетки, поэтому и необходим этап ее огрубления до размеров, допускающих их передачу через медленные каналы связи за короткое время. Необходимые коэффициенты «сжатия» - отношения объемов данных, описывающих исходную изоповерхность и её образ, достигают сотен тысяч и более, поэтому следует использовать методы сжатия с потерей точности (рис. 6.3). В первую очередь визуально воспринимаются основные контуры и формы трехмерного объекта, спроецированного на двумерный экран, следовательно, при изучении объекта «в целом» деталями можно пожертвовать. При необходимости фрагменты объекта можно изучить с большим увеличением и меньшей потерей точности.
Рис. 6.3 Пример огрубления поверхности
Огрубление триангулированных поверхностей. Эффективны алгоритмы огрубления триангулированных поверхностей на основе методов редукции [6.11, 6.12]. Их основная идея заключается в итерационном удалении из исходной поверхности некоторого количества узлов таким образом, чтобы триангуляция, определенная на оставшихся точках, аппроксимировала исходную поверхность с требуемой точностью. На рис. 6.4 представлен результат огрубления с помощью редукции сферы с вырезами. Методы редукции допускают огрубление изоповерхностей, обладающих достаточно сложной структурой, например, имеющих самопересечения (рис. 6.5).
Параллельный алгоритм построения и огрубления изоповерхностей основан на методе геометрического параллелизма. Каждый процессор формирует часть изоповерхности, проходящую через обрабатываемый процессором фрагмент сетки . Результаты огрубления фрагментов изоповерхности собираются на одном процессоре, на котором выполняется сжатие результата их объединения. Однако с помощью такого алгоритма невозможно обработать произвольно большой объем данных. Суммарный объем данных, описывающих огрубленные на процессорах фрагменты, не может превышать объем оперативной памяти того единственного процессорного узла, на котором выполняется окончательная обработка изоповерхности. Проблема решается разбиением процессоров на группы и введением дополнительных промежуточных этапов. После первого этапа огрубления результаты, полученные всеми процессорами одной группы, передаются на один из процессоров этой же группы. На каждом из таких процессоров выполняется второй этап огрубления. Полученные ими результаты передаются на один процессор для окончательной обработки. При необходимости можно использовать каскадную схему, увеличив число этапов, что в принципе снимает ограничения на исходный объем обрабатываемых данных.
Рис. 6.4 Триангулированная сфера: точек 98 880, треугольников 195 884 (слева) и ее редукция: точек 215, треугольников 375 (справа).
Рис. 6.5 Пример огрубления поверхности
Каскадная схема позволяет получить дополнительный выигрыш – существенно улучшить качество аппроксимации поверхности. При частичном огрублении на каждом из процессоров присутствуют узлы двух типов: внутренние и граничные. Узел считается граничным, если множество опирающихся на него треугольников распределено по нескольким процессорам. Разрешено удаление только внутренних узлов. Граничные не могут быть удалены, поскольку удаление разных узлов одной и той же границы разными процессорами может привести к возникновению разрывов триангулированной поверхности. При сильном огрублении внутренней части поверхности исключается большое число внутренних узлов. Поскольку все граничные узлы сохраняются, на огрубленной таким образом изначально гладкой поверхности возникают артефакты – изломы, описываемые большим числом точек, сглаживание которых на заключительном этапе затруднительно. Каскадная многоэтапная схема позволяет применять на каждом шаге меньшее сжатие внутренней части, что положительно сказывается на картине в целом. Полученная триангуляция передается на персональный компьютер пользователя, где выполняется отображение поверхности.
Пример визуализации распределенных сеточных данных большого объема возьмем из области практических задач современной электроники, а именно, рассмотрим задачу моделирования воздушного охлаждения процессора в серверном блоке. В сущности, речь идет о задаче внешнего обтекания радиатора процессора потоком воздуха заданной температуры. Сам радиатор подогревается снизу теплом, исходящим от ядра чипа. Расчетная область задачи схематично изображена на рис. 6.6.
Рис. 6.6 Схематичная геометрия расчетной области. Слева – вид сбоку, справа – вид со стороны входного потока.
Математическая модель процесса охлаждения включает уравнения Навье-Стокса в области, занятой газом, и уравнение теплопроводности - в области, занятой медным радиатором. Вычислительная сложность задачи определяется, во-первых, множеством деталей геометрии (наличие до сотни «лепестков» радиатора на общем основании, реальным окружением процессора и т.д.), во-вторых, известной сложностью расчета низкомаховых течений (в данном случае речь идет о числах Маха порядка 0.003), в-третьих, возможностью расширения и упругого прогиба лепестков радиатора (их толщина может составлять до 0.1 мм ) под воздействием нагрева и избыточного давления газового потока. Даже в самом простом случае наличие двух характерных размеров (размер основания и толщина лепестка) и существенная трехмерность задачи потребуют использования подробных сеток и применения параллельных вычислений.
На рис. 6.7, 6.8 показаны примеры визуализации поверхностей постоянной температуры. Из рисунков видно, что при анализе распределенных неогрубленных данных на подробной сетке понимание ситуации весьма затруднено. После применения специальной процедуры огрубления данных (рис. 6.9, 6.10) возможен адекватный анализ распределения температур как в радиаторе, так и в потоке газа.
Рис. 6.7 Фрагмент неогрублённой поверхности заданной температуры.
Рис. 6.8 Изоповерхности температуры газового потока и элементов радиатора.
Рис. 6.9 Огрублённые изоповерхности соответствующие трём разным температурам.
Рис. 6.10 Огрублённая изоповерхность температуры 20 ° С.
Как уже упоминалось, время чтения больших объемов сеточных данных составляет существенную часть общего времени их обработки в ходе визуализации (равно как и время записи в ходе вычислений). Для файлов, содержащих миллиард и более узлов сетки, оно может составлять десятки минут. Для его сокращения можно прибегнуть к сжатию данных перед их записью на диск, однако, использование стандартных методов сжатия без потерь применительно к вещественным числам неэффективно. Для увеличения степени сжатия данных, предназначенных для их анализа методом визуализации, допустимо игнорировать часть младших разрядов мантиссы каждого из значений сеточной функции, что значительно увеличивает коэффициент компрессии. Относительная ошибка огрубления данных, полученная в результате отбрасывания k двоичных разрядов мантиссы, приближенно может быть оценена как 2^(k-24). Использование иерархической двухуровневой схемы хранения позволяет задавать параметр огрубления независимо для каждого из записываемых блоков, что позволяет записывать значения сеточной функции, соответствующие разным фрагментам сетки, с разной точностью.
Результаты записи тестового файла, содержащего 10^9 узлов с различными значениями точности представления данных можно видеть на рисунке 6.11. Кривая ошибки показывает относительную локальную ошибку, выраженную в процентах. Вторая кривая соответствует размеру хранимой на диске информации, выраженной в Гбайтах. Исходные данные – четырехбайтовые вещественные числа. Объем массива без сжатия и огрубления – 3.54 Гбайт.
На рисунке 6.12 показано влияние огрубления на вид визуализируемых данных. Фактически все представленные кривые совпадают, что свидетельствует в пользу возможности применения данного подхода на практике. На рис. 6.13 представлены достигнутые коэффициенты сжатия с огрублением сеточных данных, полученных при численном моделировании процесса охлаждения радиатора на сетке 1000 х 3500 х 150 = 525 млн. узлов.
Результаты, представленные на рис. 6.11-6.13 показывают, что объем хранимых данных может быть сокращен в сотни и более раз без существенной, с точки зрения визуализации, потери точности их представления. Данный подход обеспечивает возможность сокращения на несколько порядков времени ввода-вывода данных и требований к объемам дисковой или оперативной памяти [6.14].
В заключение этого пункта подчеркнем, что рассмотренные в нем методы обработки результатов, полученных с помощью суперкомпьютеров, актуальны, если другие методы оказываются неприменимы, то есть если используются объемы данных, для обработки которых недостаточно ресурсов персональных компьютеров и/или недостаточно возможностей хорошо развитых и обладающих богатой функциональностью последовательных пакетов программ.
Рис. 6.11 Зависимость объема хранимых данных и точности их представления от числа отброшенных бит мантиссы 4х-байтовых float чисел.
Рис. 6.12 Влияние отбрасывания части бит мантиссы (правая колонка) на точность представления 4х-байтовых float чисел.
Рис. 6.13 Зависимость объема хранимых результатов моделирования теплового режима устройства охлаждения от числа отброшенных бит мантиссы 4х-байтовых float чисел.
Рассмотрена роль геометрических методов и визуализации при моделировании задач современной электроники. Сформулированы основные направления применения геометрических методов к задачам данного класса. На конкретных примерах продемонстрирована эффективность использования геометрических методов. Структурное моделирование, которое здесь не рассматривалось, использует технику геометрических методов в еще большем объеме. Ориентация на суперкомпьютерные геометрические вычисления и распределенную визуализацию сеточных и несеточных данных больших объемов должна дать в будущем еще больший выигрыш в эффективности решения задач микро- и наноэлектроники.
[1.2] Дьячков П.Н. Углеродные нанотрубки: строение, свойства, применение / П.Н. Дьячков. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. – 293 с.
[1.3] Пасько А.А., Пилюгин В.В .Научная визуализация и ее применение в исследованиях наноструктур // Rusnanotech . Международный форум по нанотехнологиям. Сборник тезисов докладов научно-технических секций 2008. Москва. С . 189-190.
[2.1] Суков С.А., Якобовский М.В. Обработка трехмерных неструктурированных сеток на многопроцессорных системах с распределенной памятью. / В сб. " Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем ”, вып. 6 (под ред. Л.А. Уваровой), – М.: МГТУ “СТАНКИН”, 2003, с. 233-239.
[2.2] Кринов П.С., Якобовский М.В. Визуализация результатов вычислительных экспериментов на многопроцессорных системах и метакомпьютерах. / В сб. " Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем ”, вып. 7 (под ред. Л.А. Уваровой). – М.: МГТУ “СТАНКИН”, 2004, с. 229-234.
[2.3] Якобовский М.В. Алгоритмы параллельной сортировки для данных больших объемов. / В сб. " Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем ”, вып. 7 (под ред. Л.А. Уваровой). – М.: МГТУ “СТАНКИН”, 2004, с. 235-249.
[2.4] Iakobovski M.V. Parallel Sorting of Large Data Volumes on Distributed Memory Systems. / In: «Mathematical modeling: modern methods and applications». The book of scientific articles (edited by Lyudmila A. Uvarova). – Moscow, Yanus-K, 2004, pp. 153-163.
[2.5] Iakobovski M.V., Boldyrev S.N., Sukov S.A. Big Unstructured Mesh Processing on Multiprocessor Computer Systems. / In: Parallel Computational Fluid Dynamics: Advanced numerical methods software and applications. Proc. of the Parallel CFD 2003 Conference Moscow, Russia (May 13-15, 2003) (Ed. by B. Chetverushkin et аl.), Elsevier, Amsterdam, 2004, pp. 73-79.
[2.6] Якобовский М.В. Инкрементный алгоритм декомпозиции графов. // Вестник Нижегородского университета, Сер. «Математическое моделирование и оптимальное управление», 2005, 1(28), с. 243-250.
[2.7] Четверушкин Б.Н., Гасилов В.А., Поляков С.В., Карташева Е.Л., Якобовский М.В., Абалакин И.В., Бобков В.Г., Болдарев С.А., Болдырев С.Н., Дьяченко С.В., Кринов П.С., Минкин А.С., Нестеров И.А., Ольховская О.Г., Попов И.В., Суков С.А. Программный комплекс GIMM для решения задач гидродинамики на многопроцессорных вычислительных системах. // Математическое моделирование, 2005, 17(6), с. 58-74.
[2.8] Chetverushkin B.N., Gasilov V.A., Polyakov S.V., Iakobovski M.V., Kartasheva E.L., Boldarev A.S., Minkin A.S. Data Structures and Mesh Processing in Parallel CFD Project GIMM. / In "Parallel Computing: Current & Future Issues of High-End Computing" (Edited by G.R. Joubert, W.E. Nagel, F.J. Peters, O. Plata, P. Tirado, E. Zapata), Proceedings of the International Conference ParCo 2005, Published John von Neumann Institute for Computing, NIC Series, v. 33, Julich (Germany), 2006, pp. 351-357.
[2.9] Chetverushkin B., Gasilov V., Iakobovski M., Polyakov S., Kartasheva E., Boldarev A., Abalakin I., Minkin A. Unstructured Mesh Processing in Parallel CFD Project GIMM. / In: "Parallel Computational fluid Dynamics. Theory and Applications", Proceedings of the Parallel CFD 2005 Conference (College Park, MD, U.S.A., May 24-27, 2005), ELSEVIER B.V., Amsterdam, 2006, pp. 501-508.
[2.10] Marina A. Kornilina, Mikhail V. Iakobovski, Peter S. Krinov, Sergey V. Muravyov, Ivan A. Nesterov and Sergey A. Sukov. Parallel Visualization of CFD Data on Distributed Systems. / In: "Parallel Computational fluid Dynamics. Theory and Applications", Proceedings of the Parallel CFD 2005 Conference (College Park, MD, U.S.A., May 24-27, 2005), ELSEVIER B.V., Amsterdam, 2006, pp. 517-524.
[2.11] Якобовский М.В. Вычислительная среда для моделирования задач механики сплошной среды на высокопроизводительных системах. Диссертация на соискание степени доктора физ.мат. наук по специальности 05.13.18. – М., ИММ РАН, 2006 г ., 225 стр.
[2.12] Iakobovski M., Nesterov I., Krinov P. Large distributed datasets visualization software, progress and opportunities. Computer graphics & geometry, 2007, 9(2), pp. 1-19. (http://www.cgg-journal.com/2007-2/01.htm).
[2.13] Mikhail V. Iakobovski, Ivan A. Nesterov, Dmitrii V. Petrov, Sergey A. Sukov. Supercomputers simulation environment for CFD problems. / 20 th Int. Conf. on Parallel CFD 2008. (May 19-22, Lyon France), Booklet of Contributed Abstracts. Universite Claude Bernard. Lyon 1, pp. 37-41.
[3.1] Wolf S.A., Awschalom D.D., Buhrman R.A., Daughton J.M., von Molnar S., Roukes M.L., Chtchelkanova A.Y., and Treger D.M. A Spin-Based Electronics Vision for the Future, Science, 294 , pp. 1488-1495 (2001).
[3.2] Cronenwett S.M., Lynch H.J., Goldhaber-Gordon D., Kouwenhoven L.P., Marcus C.M., Hirose K., Wingreen N. S., Umansky V. Low-Temperature Fate of the 0.7 Structure in a Point Contact: A Kondo-like Correlated State in an Open System, Phys. Rev. Lett., 88 (22), p. 6805, (2002).
[3.3] Reilly D.J., Buehler T.M., O'Brien J.L., Hamilton A.R., Dzurak A.S., Clark R.G., Kane B.E., Pfeiffer L. N., West K.W. Density-Dependent Spin Polarization in Ultra-Low-Disorder QuantumWires, Phys. Rev. Lett., 89 (24), p. 6801 (2002).
[3.4] Hirose K., Meir Y., Wingreen N.S. Local Moment Formation in Quantum Point Contacts, Phys. Rev. Lett., 90 (2), p. 6804 (2003).
[3.5] Graham A.C., Thomas K.J., Pepper M., Cooper N.R., Simmons M.Y., Ritchie D.A. Interaction Effects at Crossings of Spin-Polarized One-Dimensional Subbands, Phys. Rev. Lett., 91 (13), p. 6404 (2003).
[3.6] Bird J . P. , Ochiai Yu . Electron Spin Polarization in Nanoscale Constrictions, Science, 303 (3), p. 1621 (2004).
[3.7] Sablikov V.A., Polyakov S.V., Buttiker M. Charging effects in a quantum wire with leads, Phys. Rev. B, 61 (20), pp. 13763-13773 (2000).
[3.8] Sablikov V.A. , Polyakov S.V. Electron transport in a mesoscopic wire: the charging and exchange interaction effects. / Proc. of 8th Int. Symposium, June 19-23, 2000, St .Petersburg, Russia, Nanostructures: Physics and Technology, Zh. Alferov and L. Esaki (Eds.), Ioffe Physico-Technical Institute, St.Petersburg, 2000, pp. 526-529.
[3.9] Polyakov S.V. A numerical method for simulation of nonlinear electron transport in a quantum wire. / Proc. of the 3rd International Conference FDS2000, September 1-4, 2000, Palanga, Lithuania, Finite Difference Schemes: Theory and Applications, R. Ciegis, A. Samarskii and M. Sapagovas (Eds.), IMI, Vilnius, 2000, pp. 173-180.
[3.10] Polyakov S.V. Simulation of nonlinear electron transport in a quantum wires, Journal of Computational Methods in Sciences and Engineering (JCMSE), 2 (1s-2s), pp. 207-212 (2002).
[3.11] Самарский А.А. Теория разностных схем. – М., Наука, 1983.
[3.12] Sablikov V.A., Polyakov S.V. Spin-Charge Structure of Quantum Wires Coupled To Electron Reservoirs. International Journal of Nanoscience (IJN), 2003, Vol. 2 , No. 6, pp. 487-494. (World Scientific Publishing Company).
[3.13] Polyakov S.V. Simulation of electron transport in quantum structures. In: "Mathematical modeling: modern methods and applications". The book of scientific articles/edited by Lyudmila A. Uvarova. – Moscow, Yanus-K, 2004. p. 183-195.
[3.14] Polyakov S.V. Simulation of steady state characteristics in models with non-local nonlinearity. Application to the impurity breakdown in GaAs. / In: “Book of Abstracts of Third International Congress on Industrial and Applied Mathematics”, 3-7 July, 1995, Hamburg, Germany (Ed. J. Sourer), p. 402. GAMM, Regensburg, 1995.
[3.15] Сабликов В.А., Поляков С.В., Рябушкин О.А. О механизме низкотемпературного примесного пробоя. // ФТП, 1996, 30(7), с. 1251-1264.
[4.1] Sellberherr S. Analysis and simulation of semiconductor devices, Springer, Wienn, 1984.
[4.2] Stratton R. Theory of field emission from semiconductors. // Phys. Rev. 1962, 125, p. 67-82.
[4.3] Fedirko V.A., Duzhev N.A., Nikolaeva V.A. Suppl. a la Revue “Le Vide, les Coushes Minces” (papers from the 7th IVMC '94), N 271, 1994, p. 158.
[4.4] Федирко В.А., Николаева В.А. Полевая эмиссия из кремния. // Математическое моделирование, 1997, 9( 9), с. 75-82.
[4.5] Fedirko V. A ., Polyakov S .V . Modelling of 2D Electron Field Emission from Silicon Microcathode. / In the book: “Mathematical Models of Non-linear Excitation, Transfer, Dynamics and Control in Condensed systems and Other Media” (ed. by L.A.Uvarova et al.), Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, 1999, p. 221-228.
[4.6] Fedirko V.A., Polyakov S.V. Hot Electron Transport in Semiconductor Field Microemitter. In: "Fourth All-Russian on Problems of Theoretical and Applied Electron Optics", Anatoly M. Filachev, Editor, Proceedings of SPIE, Vol. 4187 (2000), pp. 94-99.
[4.7] Fedirko V.A., Polyakov S.V. Polyakov. Simulation of semiconductor field emitter array microcell. Proc. No. 165 of Int. Conf. "Displays and Vacuum Electronics (DVE 2001)", May 2-3, 2001, Garmish-ParteanKirche, pp. 431-438.
[4.8] Fedirko V.A., Karamzin Yu.N., Polyakov S.V. Simulation of electron transport in semiconductor microstructures: field emission from nanotip. In: “Mathematical Modeling. Problems, Methods, Applications.” (Edited by L.A. Uvarova and A.V. Latyshev), pp. 79-90, Kluwer Asademic/Plenum Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow, 2001.
[4.9] Shoulders K.R. , Heynick L.N. Needle-type electron source , US patent 3, 1966, 453, p. 478.
[4.10] Gray H.F. Techn. Dig. of the 11th IVMC'98, 1998, p. 278.
[4.11] Karamzin Yu.N., Zakharova I.G. New additive difference method for solving semiconductor problems, Russ. J. Numer. Anal. Math. Modelling, 11 , N 6, 1996, p. 477-485.
[4.12] Fedirko V., Karamzin Yu., Polyakov S. , Zakharova I. Numerical modelling of 2D field emission from silicon wedge microcathode. In: “Recent Advances in Numerical Methods and Applications II”. (Eds. O.P. Iliev, M.S. Kaschiev, S.D. Margenov, B.H. Sendov and P.S. Vassilevski), Proc. of Fourth Int. Conf., NMA'98, Sofia, Bulgaria, 19-23 August 1998, pp. 890-897, World scientific, Singapore, 1999.
[4.13] Fedirko V.A., Polyakov S.V., Karamzin Yu.N., Kudryashova T.A. Numerical Model for Real Semiconductor Field Emitter Array Microcell. The 4th International Vacuum Electron Sources Conference (IVESC'2002), July 15-19, 2002, Saratov (Russia). Book of abstracts, pp. 232-233.
[4.14] Федирко В.А., Поляков С.В. Моделирование на МВС устройств вакуумной микроэлектроники. / В сб. "Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем", вып. 7, под ред. Л.А. Уваровой. - М.: Янус-К, ИЦ МГТУ "Станкин", 2004, с. 138-147.
[4.15] Федирко В.А., Поляков С.В. Программный комплекс для моделирования катодного микроузла
с полупроводниковым автоэмиттером. // Прикладная физика, 2008, вып. 2, с . 48-55.
[4.16] Popov I.V., Polyakov S.V. Constructing of irregular triangular grids for 2D multiply connected nonconvex domains. In: “Optimization of Finite Element Approximation, Splines and Wavelets (OFEA'2001)”. Abstracts of International Conference (June 25-29, 2001, St .-Petersburg, Russia), 2001, pp. 50-51.
[4.17] Попов И.В., Поляков С.В. Построение адаптивных нерегулярных треугольных сеток для двумерных многосвязных невыпуклых областей. // Математическое моделирование. 2002, 14(6), 25-35.
[4.18] Sergey Polyakov, Igor Popov, Igor Sedykh. Parallel Mesh Generation. CD-proceedings of "West-East High Speed Flow Field Conference (WEHSFF 2007)" (November 19-22, 2007, Moscow, Russia), 2007, pp. 1-5.
[4.19] Болдырев С.Н., Леванов Е.И., Якобовский М.В. Обработка и хранение нерегулярных сеток большого размера на многопроцессорных вычислительных системах. / В сб. “Сеточные методы для краевых задач и приложения”. – Казань, Изд-во КГУ, 2002, с. 33-39.
[4.20] Якобовский М.В. Обработка сеточных данных на распределенных вычислительных системах. // Вопросы атомной науки и техники, Сер. «Математическое моделирование физических процессов», 2004, № 2, с. 40-53.
[4.21] Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Попов И.В. Разностные схемы для параболических уравнений на треугольных сетках. // Известия высших учебных заведений. Серия Математика, 2003, 1(488), c. 53-59.
[4.22] Карамзин Ю.Н., Попов И.В., Поляков С.В. Разностные методы решения задач механики сплошной среды на неструктурированных треугольных и тетраэдральных сетках. // Математическое моделирование. 2003, 15(11), c. 3-12.
[4.23] Popov I.V., Polyakov S.V., Karamzin Yu.N. High Accuracy Difference Schemes On Unstructured Triangle Grids, In: "Numerical methods and Applications, 5th Int. Conf., NMA 2002, Borovets (Bulgaria), August 2002, Revised Papers" (Eds. I. Dimov, I. Lirkov, S. Margenov, and Z. Zlatev), pp. 555-562, Springer, Berlin, 2003.
[4.24] Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Попов И.В. Разностные схемы на треугольных сетках для параболических уравнений общего вида. / В кн. "Сеточные методы для краевых задач и приложения", - Казань: Казанский государственный университет, 2004, с. 97-100.
[4.25] Поляков С.В. Экспоненциальные схемы для решения эволюционных уравнений на нерегулярных сетках. // Ученые записки казанского государственного университета. Серия " Физико - математические науки ", 2007, т . 149, кн . 4, с . 121-131.
[4.26] Milyukova O.Yu. Parallel approximate factorization method for solving discrete elliptic equations. Parallel Computing, 2001, v. 27, pp. 1365-1379.
[4.27] Milyukova O.Yu. Parallel Iterative Methods with Factored Preconditioning Matrices for Solving Discrete Elliptic Equations, Parallel Computational Fluid Dynamics (Moscow, Russia, May 13-15, 2003), Edited by B. Chetverushkin, A. Ecer, J. Periaux and N. Satofuka - Assistant Editor: Pat Fox, Elsevier Science BV, Amsterdam, 2004, pp. 94-101.
[4.28] Кринов П.С., Поляков С.В., Якобовский М.В. Визуализация в распределённых вычислительных системах результатов трёхмерных расчётов. / Труды четвертой международной конференции по математическому моделированию, 27 июня - 1 июля 2000 г ., г. Москва (под ред. Л.А. Уваровой), том 2, с. 126-133. – М., Изд-во "СТАНКИН", 2001.
[4.29] Iakobovski M.V., Karasev D.E., Krinov P.S., Polyakov S.V. Visualisation of grand challenge data on distributed systems. In: “Mathematical Modeling. Problems, Methods, Applications.” (Edited by L.A. Uvarova and A.V. Latyshev), pp. 71-78, Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow, 2001.
[4.30] Krinov P.S., Iakobovski M.V., Muravyov S.V. Large Data Volume Visualization on Distributed Multiprocessor Systems. In: Parallel Computational Fluid Dynamics: Advanced numerical methods software and applications. Proc. of the Parallel CFD 2003 Conference. Moscow, Russia (May 13-15, 2003). (Ed. By B.Chetverushkin et аl.), Elsevier, Amsterdam. - 2004. – pp. 433-438.
[4.31] Федирко В.А., Зенюк Д.А., Поляков С.В. Численное моделирование стационарного туннелирования электронов через потенциальный барьер. / В сб. "Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем", вып. 12, под ред. Л.А. Уваровой. Том 1. - М .: " Янус - К ", 2009, с . 170-184.
[5.1] Lloyd J.R. Electromigration in integrated circuits conductors. J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, 32, R109-R118.
[5.2] Lloyd J.R., Clemens J., Snede R. Copper metallization reliability. Microelectronics reliability, 1999, 39, p. 1595-1602.
[5.3] Cahn J.W., Hilliard J.E. Free Energy of a Nonuniform System. I. Interfacial Free Energy. J. Chemical Physics, 1958, 28(2), p. 258-267.
[5.4] Barrett J.W., Blowey J.F. Finite Element Approximation of an Allen-Cahn/Cahn-Hilliard System. IMA J. Numer. Anal. 22 (1) (2002), p. 11 - 71.
[5.5] Bhate D.N., Kumar A., Bower A.F. Diffuse interface model for electromigration and stress voiding. J. Applied Physics, 2000, 87(4), p. 1712-1721.
[5.6] Sukharev V. Physically based simulation of electromigration-induced degradation mechanisms in dual-inlaid copper interconnects. IEEE Trans. On CAD of Integrated Circuits and Systems. 2005, 24(9), p. 1326-1335.
[5.7] Sethian J.A. Level Set Methods and Fast Marching Methods: Evolving Interfaces in Computational Geometry, Fluid Me. Cambridge University Press, 1999, 400 p.
[5.8] Карамзин Ю.Н., Поляков С.В., Попов И.В., Кобельков Г.М., Кобельков С.Г., Choy J.H. Моделирование процессов образования и миграции пор в межсоединениях электрических схем. // Математическое моделирование, 2007, 19(10), с. 29-43.
[6.1] Hendrickson B., Leland R. A Multi-Level Algorithm for Partitioning Graphs, Tech. Rep. SAND93-1301, Sandia National Laboratories, Albuquerce, October 1993.
[6.2] Hendrickson B., Leland R. An Improved Spectral Graph Partitioning Algorithm For Mapping Parallel Computations — SIAM J. Sci. Comput., 1995, vol.16. № 2.
[6.3] Karypis G., Kumar V. Multilevel Graph Partitioning Schemes. ICPP (3) 1995: 113-122
[6.4] Fiduccia C., Mattheyses R. A linear time heuristic for improving network partitions. In In Proc. 19 th IEEE Design Automation Conference , pages 175-181, 1982.
[6.5] Fiedler M. Eigenvectors of aciyclic matrices. - Praha, Czechoslovak Mathematical Journal, 25(100) 1975, pp. 607-618.
[6.6] Fiedler M. A property of eigenvectors of nonnegative symmetric matrices and its application to graph theory. - Praha, Czechoslovak Mathematical Journal, 25(100) 1975, pp. 619-633.
[6.7] Якобовский М.В . Инкрементный алгоритм декомпозиции графов. // Вестник Нижегородского Университета им. Н.И.Лобачевского. Серия «Математическое моделирование и оптимальное управление». 2005. Вып. 1(28). Н . Новгород : Издательство ННГУ . с . 243-250.
[6.8] Iakobovski M.V., Karasev D.E., Krinov P.S., Polyakov S.V. Visualisation of grand challenge data on distributed systems. In: Mathematical Models of Non-Linear Excitations, Transfer, Dynamics, and Control in Condensed Systems and Other Media. Proc. of a Symp. , June 27 - July 1 2000, Moscow , Russia (Ed. by L.A. Uvarova), Kluwer Academic // Plenum Publishers. - New York , Boston , Dordrecht , London , Moscow . ISBN 0-306-46664-3, 2001, pp . 71-78.
[6.9] Якобовский М.В . Обработка сеточных данных на распределенных вычислительных системах. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Математическое моделирование физических процессов». 2004, вып. 2, c . 40-53.
[6.10] Iakobovski M., Nesterov I. , Krinov P. Large distributed datasets visualization software, progress and opportunities. // С omputer graphics & geometry, 2007, 9(2), pp. 1-19.
[6.11] Krinov P.S., Iakobovski M.V., Muravyov S.V. Large Data Volume Visualization on Distributed Multiprocessor Systems. In: Parallel Computational Fluid Dynamics: Advanced numerical methods software and applications. Proc. of the Parallel CFD 2003 Conference. Moscow , Russia (May 13-15, 2003). ( Ed . By B . Chetverushkin et а l .), Elsevier , Amsterdam . - 2004. p . 433-438.
[6.12] Кринов П.С., Якобовский М.В., Муравьёв С.В. Визуализация данных большого объёма в распределённых многопроцессорных системах. / В кн.: Высокопроизводительные параллельные вычисления на кластерных системах. Материалы 3-го Международного научно-практического семинара. 13-15 ноября 2003. Н. Новгород: Изд-во ННГУ. C . 81 — 88.
[6.13] Якобовский М.В. Вычислительный эксперимент на многопроцессорных системах: алгоритмы и инструменты. // Известия ВУЗов. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ, 2009, 52(10), с. 50-57.
[6.14] Якобовский М.В. Ввод-вывод сеток и сеточных функций . http://lira.imamod.ru/IOlibs.html